必威2024年12月2日，美国商务部工业与安全局（BIS）针对中国半导体行业发布了两项重要的出口管制新规，贯彻新规最核心的思路是限制中国半导体自主可控产业链的建成。新规内容包括：（1）针对特定先进制程芯片和实体清单企业新增两个外国直接产品规则（“FDPR”）和配套最终用户和最终用途管制措施；2）修订与最新FDP规则相关的最低含量标准、新设许可例外（RFF）即受限半导体生产设施许可例外，新增8条“警示红旗”；（3）新增HBM管控及许可例外HBM；（4）软件秘钥说明；（5）新修及新增8个ECCNs监管变更。

　　136家中国企业进入实体清单，新增两项FDPR条款以扩大美国长臂管辖范围

　　BIS新规中的《最终规则》将136家中国半导体行业实体（半导体设备和EDA企业为主）加入到实体清单之中。其中设备领域除中微公司以外几乎全部被列入实体清单。新增两项FDPR（SME FDPR和FN5FDPR）指出，只要产品中含有任一满足相关FDPR要求的零件或组件，即使相关零件或组件并非重要部件，也将直接导致整个设备落入FDPR的管控范围内。被标注FN5的公司被认为具备生产先进IC的能力，包括武汉新芯、张江实验室等16家公司和科研机构。

　　（1）为限制中国AI产业发展，BIS通过存储单元面积和存储带宽密度等性能指标来全面覆盖对HBM的管控。（2）BIS通过3B993、3B994编码对同时可用于先进制程和成熟制程的半导体设备实施管控，旨在全方位限制中国获得先进IC生产设备。同时，进一步细化薄膜沉积、光刻、刻蚀、检测等受管制设备的品类并且对上游软件及相关技术做出管控，利好具备更强的先进工艺设备研发能力的国产龙头公司。薄膜沉积：管控沉积钼和钌等新金属材料的设备、创建纯钨金属触点的沉积设备以及先进DRAM芯片MIM结构中沉积绝缘材料的＞50:1高深宽比沉积设备。3D DRAM对光刻机性能要求降低，是国内DRAM产业追上全球先进水平的重要路径之一，BIS对具备3D DRAM技术特征的＞200:1超高深宽比沉积设备做出管制。光刻环节新增管制能够生产先进IC的纳米压印光刻设备。（3）针对一系列与出口设备相关的模糊行为，设置“警示红旗”条例。

　　BIS公布相关出口管制新规后，中方四大行业协会齐发声呼吁/建议国内企业审慎选择采购美国芯片作为回应必威。我们认为这体现出2019Q1以来美国对华出口管制从限制芯片上升到限制先进IC生产能力的背景下，中国半导体产业链自主可控的能力已经大大增强。2023年中国大陆芯片自给化率仍然较低，芯片国产化趋势之下，上游设备及零部件作为基石产业有望迎接确定性增长，不断升级的出口管制政策有望加速这一趋势。受益标的：（1）设备：中微公司、中科飞测、精智达、拓荆科技、北方华创。（2）零部件：英杰电气、新莱应材、茂莱光学等。

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